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PT2301-B	文件：202.79 Kbytes Page：5 Pages	1WattAudioPowerAmplifier DESCRIPTION ThePT2301isanintegrationaudiopoweramplifierICutilizingadvancedCMOStechnology.Supports2monoMICinputand2stereolineinput,inputgainofeachampcanbesetindividuallytomeetcustomers’needs.Built-indigitalcontrolledvolumeshave49stepsfrom+15dB~-90dB	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PXES-2301	文件：418.7 Kbytes Page：2 Pages	6SlotAll-Hybrid3UPXIeChassisAC-powered	AdlinkAdlink Technology Inc. 凌华科技凌华科技股份有限公司	Adlink
RC2301	文件：464.54 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
READ2301G	文件：633.87 Kbytes Page：8 Pages	CMOSDualOperationalAmplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RF2301	文件：198.1 Kbytes Page：10 Pages	HIGHISOLATIONBUFFERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2301isahighreverseisolationbufferamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasageneralpurposebufferinhigh-endcommunicationsystemsoperatingatfrequenciesfromlessthan300MHztohigh	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2301PCBA	文件：198.1 Kbytes Page：10 Pages	HIGHISOLATIONBUFFERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2301isahighreverseisolationbufferamplifier.Thedeviceismanufacturedonalow-costGalliumArsenideMESFETprocess,andhasbeendesignedforuseasageneralpurposebufferinhigh-endcommunicationsystemsoperatingatfrequenciesfromlessthan300MHztohigh	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RM2301	文件：279.27 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM2301C	文件：351.83 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMosfet Features TrenchFETPowerMOSFET LoadSwitchforPortableDevices. DC/DCConverter.	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM2301E	文件：272.13 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=-20V,ID=-2.6A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2301	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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