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PHW80NQ10T	文件：95.84 Kbytes Page：7 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepo	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHW80NQ10T	文件：359.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHW8N50E	文件：90.76 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES •Repe	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHW8N50E	文件：358.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHW8ND50E	文件：91.18 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,incorporatingaFastRecoveryEpitaxialDiode(FRED).Thisgivesimprovedswitchingperformanceinhalfbridgeandfullbridgeconvertersmakingthisdeviceparticularlysuitableforinverters,lightingballastsandmo	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHW8ND50E	文件：358.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHW9N60E	文件：359.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHW.3K.93C.TLBT46Z	文件：89.91 Kbytes Page：4 Pages	3K.93C.Y - SMPTE Hybrid	LEMOLEMO Connectors 雷莫电子雷莫电子(上海）有限公司	LEMO
PHW.3K.93C.TRET46Z	文件：89.63 Kbytes Page：4 Pages	3K.93C.Y - SMPTE Hybrid	LEMOLEMO Connectors 雷莫电子雷莫电子(上海）有限公司	LEMO
PHW.4F.340.XLM	文件：77.6 Kbytes Page：4 Pages	F - Rugged Push-Pull	LEMOLEMO Connectors 雷莫电子雷莫电子(上海）有限公司	LEMO

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技术参数

中心频点：
159MHz
峰值增益：
2dBi
功率容量：
200W

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