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PHT6NQ10T中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHT6NQ10T

功能描述

N-channel TrenchMOSÔ transistor

文件大小

198.22 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 9:31:00

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PHT6NQ10T规格书详情

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Low thermal resistance

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode

field-effect transistor in a plastic

envelope using ’trench’

technology.

Applications:-

• Motor and relay drivers

• d.c. to d.c. converters

The PHT6NQ10T is supplied in the

SOT223 surface mounting

package.

产品属性

  • 型号:

    PHT6NQ10T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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