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PHT6N06T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PHT6N06T
厂商型号

PHT6N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

71.29 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-7-21 10:13:00

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PHT6N06T规格书详情

Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHT6N06T in SOT223.

产品属性

  • 型号:

    PHT6N06T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
23+
TR
12300
询价
PHI
08+
SOT223
20000
普通
询价
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23+
N/A
6000
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22+
NA
45000
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24+
SOT-223
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SOT-223
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24+
SOT-223
6320
新进库存/原装
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