PHT6N06T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PHT6N06T规格书详情
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.
Product availability:
PHT6N06T in SOT223.
产品属性
- 型号:
PHT6N06T
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
TR |
12300 |
询价 | |||
PHI |
08+ |
SOT223 |
20000 |
普通 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装,可来电咨询 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
45000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-223 |
503333 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
38243 |
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询价 | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT-223 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
20+ |
SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
6320 |
新进库存/原装 |
询价 |