PHT6N06T中文资料安世数据手册PDF规格书
PHT6N06T规格书详情
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
Product availability:
PHT6N06T in SOT223.
1.2 Features
1.3 Applications
n Low on-state resistance n Low QGD
n Fast switching n Surface mounting package.
n DC to DC converters n General purpose switching.
产品属性
- 型号：
PHT6N06T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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