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PHPT60606PY分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PHPT60606PY |
| 参数属性 | PHPT60606PY 封装/外壳为SC-100，SOT-669；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 6A LFPAK56 PWRSO8 |
| 功能描述 | 60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT669 / SC-100，SOT-669 |
| 文件大小 |
718.32 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-8 23:00:00 |
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PHPT60606PY规格书详情
1. General description
PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device
(SMD) power plastic package.
NPN complement: PHPT60606NY.
2. Features and benefits
• High thermal power dissipation capability
• Suitable for high temperature applications up to 175 °C
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Power management
• Load switch
• Linear mode voltage regulator
• Backlighting applications
• Motor drive
• Relay replacement
产品属性
- 产品编号：
PHPT60606PYX
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
525mV @ 600mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-100，SOT-669
- 供应商器件封装：
LFPAK56，Power-SO8
- 描述：
TRANS PNP 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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