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PHP112N06T	文件：262.59 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB) PHB112N06T in SOT404 (D2-PAK). Features ■ Fast switching ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Genera 文件：262.59 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHP112N06T	文件：371.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP112N06T,127	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB	恩XP 恩智浦	恩XP
BSC112N06LD	文件：1.76275 Mbytes Page：11 Pages	Optimos-T2 Power Transistor, 60 V 文件：1.76275 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PHB112N06T	文件：344.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHB112N06T	文件：262.59 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB) PHB112N06T in SOT404 (D2-PAK). Features ■ Fast switching ■ Very low on-state resistance. Applications ■ Genera 文件：262.59 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI

详细参数

型号：
PHP112N06
功能描述：
MOSFET TAPE7 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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