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BSC112N06LD	文件：1.18558 Mbytes Page：10 Pages	丝印：112N06LD；Package：TDSON-8-4；OptiMOSTM-T2PowerTransistor,60V Features ·DualN-channel,Logiclevel ·FastswitchingMOSFETsforSMPS ·OptimizedtechnologyforSynchronousRectification ·Pb-freeplating;RoHScompliant ·100%Avalanchetested ·SuperiorThermalResistance ·Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ProductValidation Qualifiedforindustrialapplicationsaccor 文件：1.18558 Mbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC112N06LD	文件：1.76275 Mbytes Page：11 Pages	丝印：112N06LD；Package：PG-TDSON-8-4；Optimos-T2 Power Transistor, 60 V 文件：1.76275 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC112N06LDATMA1	文件：1.18558 Mbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM-T2PowerTransistor,60V Features ·DualN-channel,Logiclevel ·FastswitchingMOSFETsforSMPS ·OptimizedtechnologyforSynchronousRectification ·Pb-freeplating;RoHScompliant ·100%Avalanchetested ·SuperiorThermalResistance ·Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ProductValidation Qualifiedforindustrialapplicationsaccor 文件：1.18558 Mbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC112N06LD	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS™ 功率 MOSFET \n优势:\n• Dual Super SO8 package for high power density (smallest footprint)\n• Superior thermal resistance\n• High operating temperature up to 175°C\n• High shot-through immunity due to Qgd/Qgs<0.8\n• Pb-free plating, RoHS compliant;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSC112N06LDATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TDSON-8
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
11.2 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
15.8 mΩ
ID @25°C max：
20 A
QG typ @10V：
41 nC
Polarity：
N+N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™ 3

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更多BSC112N06LD供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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