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PHB112N06T	文件：262.59 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP112N06TinSOT78(TO-220AB) PHB112N06TinSOT404(D2-PAK). Features ■Fastswitching ■Verylowon-stateresistance. Applications ■Genera	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB112N06T	文件：344.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BSC112N06LD	文件：1.76275 Mbytes Page：11 Pages	Optimos-T2PowerTransistor,60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PHP112N06T	文件：371.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP112N06T	文件：262.59 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP112N06TinSOT78(TO-220AB) PHB112N06TinSOT404(D2-PAK). Features ■Fastswitching ■Verylowon-stateresistance. Applications ■Genera	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHB112N06T
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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