PHE13009分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PHE13009 |
参数属性 | PHE13009 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 12A TO220AB |
功能描述 | Silicon Diffused Power Transistor |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
59.8 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-31 14:11:00 |
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PHE13009规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The PHE13009 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.
产品属性
- 产品编号:
PHE13009/DG,127
- 制造商:
WeEn Semiconductors
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2V @ 1.6A,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 5A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
TRANS NPN 400V 12A TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
WeEn Semiconductors |
25+ |
TO-220-3 |
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