PHE13009分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PHE13009 |
| 参数属性 | PHE13009 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 12A TO220AB |
| 功能描述 | Silicon Diffused Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
59.8 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-27 18:03:00 |
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PHE13009规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The PHE13009 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.
产品属性
- 产品编号：
PHE13009/DG,127
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 1.6A，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 5A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
TRANS NPN 400V 12A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
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