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SBP13009-S	文件：427.78 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,HighspeedSwitchingcharacteristicsrequiredsuchaslighting system,switchingmodepowersupply. Features �VeryHighSwitchingSpeed �HighVoltageCapability �WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBW13009	文件：784.57 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchasswitchingmodepowersupply. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical40ns@8.0A) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat)(Typical320mV@8.0A/1.6A) -WideReverse	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SBW13009-K	文件：439.04 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBW13009-O	文件：217.95 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features -VeryHighSwitchingSpeed -MinimumLot-to-LothFEVariation -WideReverseBiasS.O.A	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SBW13009-O	文件：414.34 Kbytes Page：5 Pages	HighvoltageFastSwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighvoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBW13009-S	文件：438.68 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBW13009-S	文件：210.17 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features -VeryHighSwitchingSpeed -MinimumLot-to-LothFEVariation -WideReverseBiasS.O.A	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
ST13009	文件：166.43 Kbytes Page：11 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Features ■Lowspreadofdynamicparameters ■Highvoltagecapability ■Minimumlot-to-lotspreadforreliableoperation ■Veryhighswitchingspeed Applications ■Switchmodepowersupplies Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltage multi-epitaxialplanartechnologyfo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST13009	文件：171.99 Kbytes Page：11 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltagemulti-epitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapability.Itusesahollowemitterstructuretoenhanceswitchingspeeds. Features ■Lowspreadofdynamicparameters ■Highvoltagecapability ■Minimumlo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STC13009	文件：757.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC

产品属性

产品编号：
PHE13009/DG,127
制造商：
WeEn Semiconductors
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 1.6A，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 5A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
TRANS NPN 400V 12A TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PHE13009/DG供应商更新时间2025-5-28 15:01:00

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