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PHD9NQ20T中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHD9NQ20T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

769.6 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 20:17:00

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PHD9NQ20T规格书详情

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Higher operating power due to low

thermal resistance

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

DC-to-DC converters

General purpose switching

Motor control circuits

Off-line switched-mode power

supplies

TV and computer monitor power

supplies

产品属性

  • 型号:

    PHD9NQ20T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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