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PHD9NQ20T中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHD9NQ20T

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

299.79 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-22 13:02:00

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PHD9NQ20T规格书详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.4Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

产品属性

  • 型号:

    PHD9NQ20T

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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