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PHB96NQ03LT	文件：293.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowgatecharge ■Lowon-stateresistance. Applications ■OptimizedasacontrolFETinDCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB96NQ03LT	文件：344.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD96NQ03LT	文件：218.01 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ●Lowconductio	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PHD96NQ03LT	文件：293.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowgatecharge ■Lowon-stateresistance. Applications ■OptimizedasacontrolFETinDCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD96NQ03LT	文件：298.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD96NQ03LT	文件：331.74 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHP96NQ03LT	文件：371.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP96NQ03LT	文件：293.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowgatecharge ■Lowon-stateresistance. Applications ■OptimizedasacontrolFETinDCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHB96NQ03L
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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