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PHB96NQ03LT规格书详情
描述 Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.
特性 Features
■ Low gate charge
■ Low on-state resistance.
Applications
■ Optimized as a control FET in DC to DC converters.
产品属性
- 型号：
PHB96NQ03LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
PHI |
01+ |
TO-263 |
526 |
原装现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT404 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
PHI |
23+24 |
SOT263 |
17251 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
询价 | ||
PHI |
08+ |
TO-263 |
20000 |
普通 |
询价 | ||
恩XP |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
PHI |
21+ |
SOT-263 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
PHI |
25+ |
TO263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
PHI |
23+ |
TO263 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
