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PHB66NQ03LT	文件：301.04 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP66NQ03LTinSOT78(TO-220AB) PHB66NQ03LTinSOT404(D2-PAK) PHD66NQ03LTinSOT428(D-PAK) Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB66NQ03LT	文件：688.48 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHB66NQ03LT	文件：345.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD66NQ03LT	文件：299.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD66NQ03LT	文件：301.04 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP66NQ03LTinSOT78(TO-220AB) PHB66NQ03LTinSOT404(D2-PAK) PHD66NQ03LTinSOT428(D-PAK) Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP66NQ03LT	文件：301.04 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP66NQ03LTinSOT78(TO-220AB) PHB66NQ03LTinSOT404(D2-PAK) PHD66NQ03LTinSOT428(D-PAK) Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP66NQ03LT	文件：372.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHU66NQ03LT	文件：959.99 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
PHB66NQ03LT
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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