PH9025L中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册恩XP规格书
PH9025L规格书详情
描述 Description
General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.
特性 Features
■ Logic level threshold
■ Optimized for use in DC-to-DC converters
■ 100 % RG tested
■ Lead-free package
■ Very low switching and conduction losses
■ 100 % ruggedness testedApplications
■ DC-to-DC converters
■ Voltage regulators
■ Switched-mode power supplies
■ PC MotherboardsQuick reference data
■ VDS ≤ 25 V
■ RDSon ≤ 9 mΩ
■ ID ≤ 66 A
■ QGD = 2.7 nC (typ)
技术参数
- 型号：
PH9025L
- 功能描述：
MOSFET PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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SOT669 |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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