PH8230中文资料N-channel enhancement mode field-effect transistor数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
PH8230
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 30V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
367 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT669 |
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恩XP |
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SOT669 |
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恩XP |
22+ |
LFPAK |
100000 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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NA |
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PH8230E |
2500 |
2500 |
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恩XP |
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LFPAK |
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PHI |
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恩XP |
24+ |
LFPAK |
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