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UPD6325C	文件：111.25 Kbytes Page：16 Pages	QUAD/OCTAL6BITD/ACONVERTERCMOSLSI SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD6325G	文件：245 Kbytes Page：18 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •R-2RladderD/A •SerialDatainput(DATAIN,CLOCK,LOAD) •Powersupplyvoltageofinterfaceis5V(VCC)andD/Areferencevoltageisfree(VCCto15V).	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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QUAD/OCTAL6BITD/ACONVERTERCMOSLSI

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MOSINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •R-2RladderD/A •SerialDatainput(DATAIN,CLOCK,LOAD) •Powersupplyvoltageofinterfaceis5V(VCC)andD/Areferencevoltageisfree(VCCto15V).

RENESASRenesas Technology Corp

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详细参数

型号：
PH6325L
功能描述：
MOSFET N-CH TRNCH 25V 78.7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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