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PTR20100CTI	文件：772.03 Kbytes Page：7 Pages	20A100VHPTRSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
R20100	文件：112.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V ●Excellentreliability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
R20100	文件：143.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
S20100	文件：148.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
S20100	文件：112.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V ●Excellentreliability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
S20100	文件：143.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SB20100	文件：123.98 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGE:100VCURRENT:20.0A VOLTAGE:100VCURRENT:20.0A FEATURE Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
SB20100	文件：133.82 Kbytes Page：4 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
SB20100	文件：85.95 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage35to100VForwardCurrent20A	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SB20100	文件：161.37 Kbytes Page：3 Pages	SB20100SCHOTTKYRECTIFIER Features SchottkyBarrierChip GuardRingDieConstructionforTransientProtection HighCurrentCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters, FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications ThisisaPb−Fre	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

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详细参数

型号：
PH20100S
功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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