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PR2001	文件：271.85 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PR2001	文件：134.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0AFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR2001G	文件：62.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •FastSwitchingforHighEfficiency •SurgeOverloadRatingto80APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2001G	文件：373.31 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2001G	文件：134.29 Kbytes Page：2 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR2001G	文件：266.51 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIERDIODES VOLTAGERANGE:50-1000VCURRENT:2.0A Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●DiffusedJunction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto80APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●PlasticMaterial:ULFla	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PR2001G-T	文件：373.31 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYGLASSPASSIVATEDRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR2001-T	文件：368.07 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PT2001	文件：250.25 Kbytes Page：4 Pages	2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.withHeadphoneOutput DESCRIPTION ThePT2001isaClass-Dpoweramplifierdesignedforaudioequipments,maximumoutputpowercanreachupto2.2Wx2(VDD=5V,RL=4Ω,THD=10).ThePT2001composedofexclusivelydesignedClass-Dcircuitry(patented)byPTC,alongwiththemostadvancedsemi-conductortechnology.Whe	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2001-TX	文件：250.25 Kbytes Page：4 Pages	2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.2.2W횞2Class-DAudioPowerAmp.withHeadphoneOutput DESCRIPTION ThePT2001isaClass-Dpoweramplifierdesignedforaudioequipments,maximumoutputpowercanreachupto2.2Wx2(VDD=5V,RL=4Ω,THD=10).ThePT2001composedofexclusivelydesignedClass-Dcircuitry(patented)byPTC,alongwiththemostadvancedsemi-conductortechnology.Whe	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC

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