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PH1930AL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Nexperia

安世

REF1930

Voltage References

文件:2.44667 Mbytes 页数:31 Pages

TI

德州仪器

REF1930

REF19xx Low-Drift, Low-Power, Dual-Output, VREF and VREF / 2 Voltage References

1 Features 1• Two Outputs, VREF and VREF / 2, for Convenient Use in Single-Supply Systems • Excellent Temperature Drift Performance: – 25 ppm/°C (max) from –40°C to 125°C • High Initial Accuracy: ±0.1% (max) • VREF and VBIAS Tracking over Temperature: – 6 ppm/°C (max) from –40°C to 85°C

文件:2.10194 Mbytes 页数:35 Pages

TI

德州仪器

REF1930AIDDCR

Voltage References

文件:2.44667 Mbytes 页数:31 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    100A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    2 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    64nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    3980pF @ 12V

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳:

    SC-100,SOT-669

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
22+
NA
45000
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Nexperia USA Inc.
2022+
SC-100,SOT-669
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恩XP
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SC100 SOT669
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恩XP
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LFPak-4
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更多PH1930AL供应商 更新时间2025-12-15 10:15:00