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PH1930AL,115中文资料MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PH1930AL,115

功能描述

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PH1930AL,115

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • 技术

    :MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss)

    :30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :100A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :2 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :64nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :3980pF @ 12V

  • FET 功能

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :-

  • 工作温度

    :-

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 供应商器件封装

    :LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳

    :SC-100,SOT-669

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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