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PH1930AL,115中文资料MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK数据手册Nexperia规格书
技术参数
- 制造商编号
:PH1930AL,115
- 生产厂家
:Nexperia
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:100A(Tc)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:2 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:64nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:3980pF @ 12V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:-
- 工作温度
:-
- 安装类型
:表面贴装
- 供应商器件封装
:LFPAK56,Power-SO8
- 封装/外壳
:SC-100,SOT-669
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILPS |
23+ |
SOT669 |
2920 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
PHI |
2025+ |
SOT223-4 |
3872 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3268 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
LFPak-4 |
115 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SOT669 |
60000 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
SOT669 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装,请咨询 |
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恩XP |
2450+ |
TO-669 |
9850 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT669 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |