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PH1330AL,115数据手册Nexperia中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
:PH1330AL,115
- 生产厂家
:Nexperia
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:100A(Tc)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:1.3 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:100nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:6227pF @ 12V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:-
- 工作温度
:-
- 安装类型
:表面贴装
- 供应商器件封装
:LFPAK56,Power-SO8
- 封装/外壳
:SOT-1023,4-LFPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT1023 |
600000 |
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PREWELL |
25+ |
SOT-89 |
880000 |
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恩XP |
25+ |
25000 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SMD |
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TI/德州仪器 |
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SOT23-6 |
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NEXPERIA/安世 |
2447 |
LFPAK56-5 |
100500 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
LFPAK56-5 |
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恩XP |
22+ |
LFPAK56 |
25000 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1023 |
10990 |
原装正品 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
LFPAK56-5 |
1500 |
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