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PH1330AL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK;

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安世安世半导体(中国)有限公司

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    100A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    1.3 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    100nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    6227pF @ 12V

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳:

    SOT-1023,4-LFPAK

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更多PH1330AL,115供应商 更新时间2025-7-27 14:14:00