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PH1225AL,115数据手册Nexperia中文资料规格书

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厂商型号

PH1225AL,115

功能描述

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:09:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PH1225AL,115

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • 技术

    :MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss)

    :25V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :100A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :1.2 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :105nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :6380pF @ 12V

  • FET 功能

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :-

  • 工作温度

    :-

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 供应商器件封装

    :LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳

    :SOT-1023,4-LFPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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