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PESD5V0U2BT-Q	文件：216.02 Kbytes Page：11 Pages	Marking：1U；Package：SOT23；Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection diode 1.Generaldescription UltralowcapacitancebidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeina SOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotecttwo datalinesfromthedamagecausedbyESD. 2.Featuresandbenefits •Bidirectiona	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PRTR5V0U2AX	文件：1.27872 Mbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceTVSDiodeArray Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage ‘Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV' Contactdischarge:+30kV —IEC61000-4-5(Lightning)6A(8/20us) —\|EC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) Ro	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PRTR5V0U2AX	文件：184.92 Kbytes Page：12 Pages	Ultralowcapacitancedoublerail-to-railESDprotectiondiode 1.1Generaldescription Ultralowcapacitancedoublerail-to-railElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodein asmallSOT143BSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Thedeviceisdesignedtoprotecttwohigh-speeddatalinesorhigh-frequencysignal linesfromthedamagecausedby	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PRTR5V0U2AX-Q	文件：234.26 Kbytes Page：11 Pages	Ultralowcapacitancedoublerail-to-railESDprotectiondiode 1.Generaldescription Ultralowcapacitancedoublerail-to-railElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinasmall SOT143BSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Thedeviceisdesignedtoprotecttwohigh-speeddatalinesorhigh-frequencysignallinesfromthe damagecausedby	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PRTR5V0U2D	文件：85.2 Kbytes Page：12 Pages	Ultralowcapacitancedoublerail-to-railESDprotection 1.1Generaldescription Ultralowcapacitancedoublerail-to-railElectroStaticDischarge(ESD)protectiondevicein aSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. ThedeviceisdesignedtoprotecttwoHi-Speeddatalinesorhigh-frequencysignallines fromthedamagecau	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PRTR5V0U2F	文件：624.76 Kbytes Page：12 Pages	Ultralowcapacitancedoublerail-to-railESDprotection 1.1Generaldescription Ultralowcapacitancedoublerail-to-railElectroStaticDischarge(ESD)protectiondevices inleadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. ThedevicesaredesignedtoprotecttwoHi-Speeddatalinesorhigh-frequencysignal linesfromthedamagec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PRTR5V0U2K	文件：624.76 Kbytes Page：12 Pages	Ultralowcapacitancedoublerail-to-railESDprotection 1.1Generaldescription Ultralowcapacitancedoublerail-to-railElectroStaticDischarge(ESD)protectiondevices inleadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. ThedevicesaredesignedtoprotecttwoHi-Speeddatalinesorhigh-frequencysignal linesfromthedamagec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PRTR5V0U2X	文件：2.1524 Mbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceTVSDiodeArray Features ●Ultralowleakage:nAlevel ●Operatingvoltage:5V ●Lowclampingvoltage ●Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs) ●RoHS	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PRTR5V0U2X	文件：60.21 Kbytes Page：10 Pages	Ultralowcapacitancedoublerail-to-railESDprotectiondiodeinSOT143B	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PRTR5V0U2X	文件：340.69 Kbytes Page：3 Pages	40Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 40Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) TinySOT143package Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent Lowcapacitance(Cj=0.35pFtypI/OtoI/O.) Protectiononedata/powerline IEC61000-4-2±15kVcontact±20kVair	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	PESD5V0U4BF	恩XP	2016+	SOT886	6523	房间原装进口现货假一赔十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	PESD5V0U4BF	恩XP	2020+	SOT886	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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