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PEMD30	文件：223.98 Kbytes Page：11 Pages	Marking：2U；Package：SOT666；50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open 1.Generaldescription NPN/PNPdoubleResistor-EquippedTransistor(RET)inanultrasmallandflatleadSOT666 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PEMH30 PNP/PNPcomplement:PEMB30 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMD30	文件：83.68 Kbytes Page：11 Pages	Marking：2U；Package：SOT666；NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open Features 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMD30_V01	文件：83.68 Kbytes Page：11 Pages	NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open Features 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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Marking：2U；Package：SOT666；50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

1.Generaldescription NPN/PNPdoubleResistor-EquippedTransistor(RET)inanultrasmallandflatleadSOT666 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PEMH30 PNP/PNPcomplement:PEMB30 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasr

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PEMD30

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Marking：2U；Package：SOT666；NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open

Features *100mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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PEMD30_V01

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NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open

Features *100mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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详细参数

型号：
PEMD30
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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