PEMD30中文资料NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open数据手册恩XP规格书
PEMD30规格书详情
描述 Description
General description
NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
特性 Features
■ 100 mA output current capability
■ Built-in bias resistors
■ Simplifies circuit design
■ Reduces component count
■ Reduces pick and place costsApplications
■ Low current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Cost-saving alternative for BC847BPN and BC847BVN
■ Switching loads
技术参数
- 型号：
PEMD30
- 功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7
- RoHS：
否
- 制造商：
ON Semiconductor
- 晶体管极性：
NPN/PNP
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
200 mA
- 最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V
- 集电极连续电流：
150 mA
- 功率耗散：
200 mW
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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恩XP |
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