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PEMB30	文件：191.09 Kbytes Page：11 Pages	Marking：2T；Package：SOT666；PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open 1.1Generaldescription PNP/PNPdoubleResistor-EquippedTransistors(RET)inSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackages 1.2Features 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberPackageNPN/PNP complement NPN/NPN NXPJEITAcomplement PEMB30SOT666-PEMD30PEMH30 PUMB30SO	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMB30_PUMB30_15	文件：76.23 Kbytes Page：10 Pages	PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PEMB30

文件：191.09 Kbytes

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Marking：2T；Package：SOT666；PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open

1.1Generaldescription PNP/PNPdoubleResistor-EquippedTransistors(RET)inSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackages 1.2Features 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberPackageNPN/PNP complement NPN/NPN NXPJEITAcomplement PEMB30SOT666-PEMD30PEMH30 PUMB30SO

安世安世半导体(中国)有限公司

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PEMB30_PUMB30_15

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PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PEMB30
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多PEMB30供应商更新时间2025-5-28 14:00:00

详细参数

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