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PEMB10	文件：144.18 Kbytes Page：8 Pages	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 DESCRIPTION PNP/PNP resistor-equipped transistors (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • Low current 文件：144.18 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
PEMB10	文件：917.21 Kbytes Page：16 Pages	丝印：Z5；Package：SOT666；PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k 1.1 General description PNP/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. 1.2 Features and benefits 1.3 Applications  Low current peripheral driver  Control of IC inputs  Replaces general-purpose transistors in digital applications Table 1. Pr 文件：917.21 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMB10	文件：917.23 Kbytes Page：16 Pages	丝印：Z5；Package：SOT666；PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k Features and benefits  100 mA output current capability  Built-in bias resistors  Simplifies circuit design  Reduces component count  Reduces pick and place costs  AEC-Q101 qualified 文件：917.23 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMB10	文件：45.6 Kbytes Page：8 Pages	PNP resistor-equipped double transistor R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm DESCRIPTION PNP/PNP resistor-equipped transistors (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • Low current 文件：45.6 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PEMB10_V01	文件：917.23 Kbytes Page：16 Pages	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k Features and benefits  100 mA output current capability  Built-in bias resistors  Simplifies circuit design  Reduces component count  Reduces pick and place costs  AEC-Q101 qualified 文件：917.23 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PEMB10_PUMB10_15	文件：626.41 Kbytes Page：15 Pages	PNP/PNP resistor-equipped transistors; PNP/PNP resistor-equipped transistors; 文件：626.41 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PEMB10	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ PNP/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. • 100 mA output current capability\n• Built-in bias resistors\n• Simplifies circuit design\n• Reduces component count\n• Reduces pick and place costs\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT666
Size (mm)：
1.6 x 1.2 x 0.55
IO [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
R2 (typ) (kΩ)：
47
Channel type：
PNP/PNP
Ptot (mW)：
300
VCEO (V)：
50
Tj [max] (°C)：
150
Automotive qualified：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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