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PE806BA	文件：299.55 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：299.55 Kbytes 页数：6 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PE806BA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
UF806	文件：71.31 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER VOLTAGE 50 to 600 Volts CURRENT 8.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. 文件：71.31 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
UF806F	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	ISOLATION ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 8.0 Amperes) VOLTAGE 50 to 600 Volts CURRENT 8.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. 文件：74.47 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
UPA806T	文件：49.96 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD FEATURES • Low Noise, High Gain • Operable at Low Voltage • Small Feed-back Capacitance Cre = 0.4 pF TYP. • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959) 文件：49.96 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

Package：
PDFN 3x3
Configuration：
Single
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
ID (A)：
44
RDS(ON)mΩmax at 10V：
6.8
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
10.2
VGS(th) max：
2.3
Typical Ciss(pF)：
868
Typical Coss(pF)：
472
Typical Crss(pF)：
59
Typical Qg(nC)：
18
Typical Qgd(nC）：
4.8

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更多PE806BA供应商更新时间2026-4-15 20:36:00

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