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CEM3258	文件：305.92 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,7A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3258	文件：1.12785 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,7A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3258A	文件：623.96 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,7A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. RDS(ON)=35mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3258L	文件：404.41 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,6.9A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=34mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHM3258JPT	文件：551.2 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT7Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
PE3258	文件：208.91 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG58C/UMINIUHFMALETOMINIUHFMALE	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PST3258	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3258	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
UM3258	文件：434.86 Kbytes Page：10 Pages	Low-VoltageDualSPDTAnalogSwitch	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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