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PDTD123T	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123T	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open 文件：129.039 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
PDTD123T	文件：67.49 Kbytes Page：10 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open 文件：67.49 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTD123T_SER	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123TK	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	丝印：E9；Package：SC-59A；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123TS	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	丝印：TD123TS；Package：SC-43A；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123TT	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	丝印：1T；Package：SOT23；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123T_15	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 k廓, R2 = open 文件：129.039 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PDTD123TK	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	丝印：E9；Package：SOT-346；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open 文件：129.039 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
PDTD123TK	文件：67.49 Kbytes Page：10 Pages	丝印：E9；Package：SOT-346；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open 文件：67.49 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Channel type：
NPN
Ptot (mW)：
250
IC [max] (mA)：
500
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
VCEO (V)：
50

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