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PDTD123T	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123T	文件：67.49 Kbytes Page：10 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD123T	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTD123T_SER	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123TK	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	Marking：E9；Package：SC-59A；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123TS	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	Marking：TD123TS；Package：SC-43A；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123TT	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	Marking：1T；Package：SOT23；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123T_15	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 k廓, R2 = open	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD123TK	文件：67.49 Kbytes Page：10 Pages	Marking：E9；Package：SOT-346；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD123TK	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	Marking：E9；Package：SOT-346；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
PDTD123T
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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