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PTAF-123-J	文件：107.21 Kbytes Page：3 Pages	Plug-inSignalConditionersM-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
QEC123	文件：130.32 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE Description TheQEC121,QEC122andQEC123are880nmAlGaAsLEDencapsulatedinaclearpurpletinted,plasticT-1package. Features ■λ=880nm ■Chipmaterial=AlGaAs ■Packagetype:T-1(3mm) ■Matchedphotosensor:QSC112/QSC113/QSC114 ■Narrowemissionangle,8°at80intensity ■High	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QED123	文件：358.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE FEATURES •λ=880nm •Chipmaterial=AlGaAs •Packagetype:T-13/4(5mmlensdiameter) •MatchedPhotosensor:QSD122/123/124 •NarrowEmissionAngle,18° •HighOutputPower •Packagematerialandcolor:Clear,peachtinted,plastic	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QED123	文件：86.81 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE	QT QT Optoelectronics	QT
QED123UL	文件：491.77 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE FEATURES •UL217Approved •λ=880nm •Chipmaterial=AlGaAs •Packagetype:T-13/4(5mmlensdiameter) •MatchedPhotosensor:QSB34 •NarrowEmissionAngle,18° •HighOutputPower •Packagematerialandcolor:Clear,peach	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QEE123	文件：148.36 Kbytes Page：2 Pages	AIGAASINFRAREDEMITTINGDIODE	QT QT Optoelectronics	QT
QEE123	文件：332.38 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE DESCRIPTION TheQEE12Xisa880nmAlGaAsLEDencapsulatedinamediumwideangle,plasticsidelookerpackage. FEATURES •λ=880nm •PackageType=Sidelooker •ChipMaterial=AlGaAs •MatchedPhotosensor:QSE113 •MediumWideEmissionAngle,50° •PackageMaterial:ClearEpoxy •HighO	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QSD123	文件：93.34 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICSILICONINFRAREDPHOTOTRANSISTOR DESCRIPTION TheQSD122/123/124isaphototransistorencapsulatedinaninfraredtransparent,blackT-13/4package. FEATURES •NPNSiliconPhototransistor •PackageType:T-13/4 •NotchedEmitter:QED12X/QED22X/QED23X •NarrowReceptionAngle:24°C •DaylightFilter •PackageMaterialand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QSD123	文件：159.77 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONPHOTOTRANSISTOR	QT QT Optoelectronics	QT
QSD123	文件：252.8 Kbytes Page：4 Pages	PlasticSiliconInfraredPhototransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
PDTD123EUX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.425W

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