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PDTD123TT	文件：67.49 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=open	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PDTD123Y	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123Y_SER	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD123YK	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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产品属性

产品编号：
PDTD123EUX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.425W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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