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PDTD113EQA	文件：2.34774 Mbytes Page：24 Pages	Marking：010011；Package：DFN1010D-3；50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■500mAoutputcurrentcapability ■Reducedpickandplacecosts ■Built	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113EQA	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	Marking：010011；Package：DFN1010D-3；50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113EQA	文件：3.67584 Mbytes Page：23 Pages	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113EQA_SER	文件：2.34705 Mbytes Page：24 Pages	50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 500mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors 10resistorratiotolerance Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113EQAZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTD113ES	文件：67.02 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD113ES	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTD113ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD113ET	文件：67.02 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTD113ET	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PDTD113EQA供应商更新时间2025-5-28 16:20:00

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