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PDTD113EQA分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

PDTD113EQA
厂商型号

PDTD113EQA

参数属性

PDTD113EQA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3

功能描述

50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors

丝印标识

010011

封装外壳

DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘

文件大小

2.34774 Mbytes

页面数量

24

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:59:00

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PDTD113EQA规格书详情

General description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.

Features and benefits

■ 500 mA output current capability

■ Reduced pick and place costs

■ Built-in bias resistors

■ Low package height of 0.37 mm

■  10 resistor ratio tolerance

■ Suitable for Automatic Optical

Inspection (AOI) of solder joint

■ Simplifies circuit design

■ AEC-Q101 qualified

■ Reduces component count

Applications

■ Digital applications

■ Controlling IC inputs

■ Cost saving alternative for

BC807/BC817 series in digital

applications

■ Switching loads

产品属性

  • 产品编号:

    PDTD113EQAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    33 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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