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PDTC144EQC-Q	文件：331.22 Kbytes Page：18 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •QualifiedaccordingtoAEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144ES	文件：69.13 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144ES	文件：93.77 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=47kohm,R2=47kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144ET	文件：93.77 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=47kohm,R2=47kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144ET	文件：50.55 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144ET	文件：760.42 Kbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC144ET	文件：1.53645 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=47k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144ET-Q	文件：227.42 Kbytes Page：12 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=47kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA144ET 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducesco	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC144EU	文件：53.05 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

技术参数

Package name：
DFN1010D-3
Size (mm)：
1.1 x 1 x 0.37
IO [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
47
R2 (typ) (kΩ)：
47
Channel type：
NPN
Ptot (mW)：
280
VCEO (V)：
50

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更多PDTC144EQA供应商更新时间2025-7-28 15:01:00

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