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PDTC123JU	文件：92.63 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kOHM,R2=47kOHM DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline, symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123JU	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC123JU	文件：774.48 Kbytes Page：11 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JU 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123JU	文件：1.05544 Mbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2k,R2=47k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123JU-Q	文件：227.38 Kbytes Page：12 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=47kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JU 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reduces	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123T	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123T_SER	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123TE	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123TE	文件：198.32 Kbytes Page：11 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC123TK	文件：585.57 Kbytes Page：10 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=open Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN1412D-3
Size (mm)：
1.4 x 1.2 x 0.48
Channel type：
NPN
Ptot (mW)：
250
R2 (typ) (kΩ)：
47
IC [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
VCEO (V)：
50

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