PDTC115EU分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PDTC115EU |
| 参数属性 | PDTC115EU 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：PDTC115EU/SOT323/SC-70 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-323 / SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
93.83 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找货 | PDTC115EU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTC115EU规格书详情
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).
FEATURES
• Built-in bias resistors
• Simplified circuit design
• Reduction of component count
• Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
• General purpose switching and amplification
• Inverter and interface circuits
• Circuit driver.
产品属性
- 产品编号：
PDTC115EUF
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SOT-323
- 描述：
PDTC115EU/SOT323/SC-70
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NA/ |
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