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PDTC115EEF中文资料安世数据手册PDF规格书

PDTC115EEF
厂商型号

PDTC115EEF

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

文件大小

422.65 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 9:49:00

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PDTC115EEF规格书详情

FEATURES

•Built-in bias resistors

•Simplified circuit design

•Reduction of component count

•Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

•General purpose switching and amplification

•Inverter and interface circuits

•Circuit driver.

产品属性

  • 型号:

    PDTC115EEF

  • 功能描述:

    TRANS NPN W/RES 50V SOT-490

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    10,000

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    50V 电阻器 -

  • 基极(R1)(欧):

    47k 电阻器 -

  • 发射极(R2)(欧):

    47k 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    300mV @ 500µA,10mA 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    - 频率 -

  • 转换:

    100MHz 功率 -

  • 最大:

    250mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商设备封装:

    PG-SOT323-3

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 其它名称:

    SP000756242

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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