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PDTC114EQC-Q	文件：331.22 Kbytes Page：18 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.5mm •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •QualifiedaccordingtoAEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC114ES	文件：67.05 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114ES	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114ET	文件：50.75 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114ET	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114ET	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114ET	文件：717.9 Kbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114ET	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PDTA114ET 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcou	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC114ET	文件：1.3323 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=10k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC114ET-Q	文件：242.52 Kbytes Page：13 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PDTA114ET-Q 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN1010D-3
Size (mm)：
1.1 x 1 x 0.37
IO [max] (mA)：
100
R1 (typ) (kΩ)：
10
R2 (typ) (kΩ)：
10
Channel type：
NPN
Ptot (mW)：
280
VCEO (V)：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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