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PDTB123T	文件：128.57 Kbytes Page：10 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open 文件：128.57 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
PDTB123TK	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123TS	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123TT	文件：353.45 Kbytes Page：11 Pages	丝印：1U；Package：SOT23；PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features and benefits * 500 mA output current capability * Built-in bias resistor * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs * AEC-Q101 qualified 文件：353.45 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123TT	文件：243.15 Kbytes Page：11 Pages	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design 500 mA output current capability Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：243.15 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTB123TK	文件：128.57 Kbytes Page：10 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open 文件：128.57 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
PDTB123TS	文件：128.57 Kbytes Page：10 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open 文件：128.57 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
PDTB123TT	文件：128.57 Kbytes Page：10 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open 文件：128.57 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
PDTB123T	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open	恩XP 恩智浦	恩XP
PDTB123TT	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open 500 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PDTD123TT. • 500 mA output current capability\n• Reduces component count\n• Built-in bias resistor\n• Reduces pick and place costs\n• Simplifies circuit design\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
IO [max] (mA)：
500
R1 (typ) (kΩ)：
2.2
Channel type：
PNP
Ptot (mW)：
250
VCEO (V)：
50

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更多PDTB123T供应商更新时间2025-10-4 15:30:00

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