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PDTC114EK	文件：181.28 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10k廓,R2=10k廓 DESCRIPTION NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTC114EM	文件：92.9 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kohm,R2=10kohm DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EM	文件：181.28 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10k廓,R2=10k廓 DESCRIPTION NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandampli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTC114EM	文件：717.9 Kbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k??R2=10k?	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTC114EM	文件：717.9 Kbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDTC114EM	文件：215.17 Kbytes Page：11 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaultrasmallSOT883(SC-101)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •100mAoutputcurrentcapability •Built-inbiasresistors •Simplifiescircuitdesign •Reducescomponentcount •Reduc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC114EM	文件：1.3323 Mbytes Page：17 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k,R2=10k Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC114EMB	文件：699.84 Kbytes Page：11 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10k廓,R2=10k廓 Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA114EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PDTC114EMB	文件：834.27 Kbytes Page：12 Pages	NPNresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign AEC-Q101qualified LeadlessultrasmallSMDplastic package Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PDTC114EQA	文件：2.78525 Mbytes Page：21 Pages	50V,100mANPNresistor-equippedtransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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