PDTA143ET分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PDTA143ET |
参数属性 | PDTA143ET 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
50.59 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
原厂标识 | PHILIPS |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 20:00:00 |
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PDTA143ET规格书详情
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning”for package details).
FEATURES
• Built-in bias resistors
• Simplified circuit design
• Reduction of component count
• Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
• General purpose switching and amplification
• Inverter and interface circuits
• Circuit driver.
产品属性
- 产品编号:
PDTA143ET,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 10mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
15250 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
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恩XP |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
SOT23-3 |
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恩XP |
23+ |
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