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PDTA143EM分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDTA143EM
厂商型号

PDTA143EM

参数属性

PDTA143EM 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k-ohm, R2 = 4.7 k-ohm

封装外壳

3-XFDFN

文件大小

91.28 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识

PHILIPS

数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:03:00

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PDTA143EM规格书详情

DESCRIPTION

PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning”for package details).

FEATURES

• Built-in bias resistors

• Simplified circuit design

• Reduction of component count

• Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification

• Inverter and interface circuits

• Circuit driver.

产品属性

  • 产品编号:

    PDTA143EMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3

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