首页>PDTA143EMB>规格书详情

PDTA143EMB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

PDTA143EMB

参数属性

PDTA143EMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3

功能描述

PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 4.7 k廓

丝印标识

00100111

封装外壳

DFN1006B-3 / 3-XFDFN

文件大小

839.15 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-12-14 10:39:00

人工找货

PDTA143EMB价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PDTA143EMB规格书详情

General description

PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PDTC143EMB.

Features and benefits

■ 100 mA output current capability

■ Reduces component count

■ Built-in bias resistors

■ Reduces pick and place costs

■ Simplifies circuit design

■ AEC-Q101 qualified

■ Leadless ultra small SMD plastic

package

■ Low package height of 0.37 mm

Applications

■ Low-current peripheral driver

■ Control of IC inputs

■ Replaces general-purpose transistors

in digital applications

■ Mobile applications

产品属性

  • 产品编号:

    PDTA143EMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
23+
QFN76
12700
买原装认准中赛美
询价
恩XP
2021+
SOT-883
7600
原装现货,欢迎询价
询价
PHI
24+
AMMO
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
Nexperia
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
24+
N/A
76000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
恩XP
24+
8000
询价
PHI
25+
AMMO
65428
百分百原装现货 实单必成
询价
PHI
99+
SOT-23
3300
全新原装现货100真实自己公司
询价
PHI
24+
SSOP
37500
原装正品现货,价格有优势!
询价
NEXPERIA/安世
21+
SOT-23-3
2350
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价