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PDTA143EMB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PDTA143EMB |
参数属性 | PDTA143EMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3 |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 4.7 k廓 |
丝印标识 | |
封装外壳 | DFN1006B-3 / 3-XFDFN |
文件大小 |
839.15 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
人工找货 | PDTA143EMB价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA143EMB规格书详情
General description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PDTC143EMB.
Features and benefits
■ 100 mA output current capability
■ Reduces component count
■ Built-in bias resistors
■ Reduces pick and place costs
■ Simplifies circuit design
■ AEC-Q101 qualified
■ Leadless ultra small SMD plastic
package
■ Low package height of 0.37 mm
Applications
■ Low-current peripheral driver
■ Control of IC inputs
■ Replaces general-purpose transistors
in digital applications
■ Mobile applications
产品属性
- 产品编号:
PDTA143EMB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
180MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XFDFN
- 供应商器件封装:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
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