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PDTA123YMB中文资料PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ数据手册Nexperia规格书

厂商型号 |
PDTA123YMB |
参数属性 | PDTA123YMB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
功能描述 | PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ |
封装外壳 | 3-XFDFN |
制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 8:16:00 |
人工找货 | PDTA123YMB价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PDTA123YMB规格书详情
描述 Description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC123YMB
特性 Features
• 100 mA output current capability
• Reduces component count
• Built-in bias transistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
应用 Application
• Low-current peripheral driver
• Control of IC inputs
• Replaces general-purpose transistors in digital applications
• Mobile applications
技术参数
- 制造商编号
:PDTA123YMB
- 生产厂家
:Nexperia
- Package name
:DFN1006B-3
- Size (mm)
:1 x 0.6 x 0.37
- Channel type
:PNP
- Ptot (mW)
:250
- R2 (typ) (kΩ)
:10
- IC [max] (mA)
:100
- R1 (typ) (kΩ)
:2.2
- VCEO (V)
:50
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT-883-3 |
7087 |
Nexperia安世原装现货库存,原厂技术支持! |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT8833 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
6000 |
原装正品老板王磊+13925678267 |
询价 | ||||
Nexperia |
2023+ |
SOT23 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
2447 |
SOT-883B |
115000 |
10000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |