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PDTA123JE,115

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NEXPERIA/安世SC-75-3

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PDTA123JT,215

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安世SOT-23

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NexperiaSC-70

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PDTA123JT

恩XPN/A

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NexperiaSOT-23-3

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NEXPERIA/安世SOT

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PDTA123JE

恩XPSC-75-3

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Nexperia(安世)SOT-23

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PDTA123JT,215

NEXPERIATube

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Nexperia(安世)SOT-23

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PDTA123JM

恩XPSOT883

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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PDTA123JT,215

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NEXPERIA/安世SOT23

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PDTA123JU,115

Nexperia(安世)SOT-323(SC-70)

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PDTA123JT

恩XP标准封装

22048

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PDTA123JU,115

Nexperia/安世

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PDTA123JU,115

NexperiaSC-70

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PDTA123JU,115

NexperiaSC-70

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PDTA123JT

PHI原厂原封装

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PDTA123JU

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PDTA123JT,215价格

PDTA123JT,215价格：￥0.0482品牌：恩XP

生产厂家品牌为恩XP的PDTA123JT,215多少钱，想知道PDTA123JT,215价格是多少？参考价：￥0.0482。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PDTA123JT,215批发价格及采购报价，PDTA123JT,215销售排行榜及行情走势，PDTA123JT,215报价。

PDTA123JU中文资料Alldatasheet PDF

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PDTA123JE T/R功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JE,115功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JEF,115功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JK T/R功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JK,115功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JM T/R功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JM,315功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JS,126功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JT T/R功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

PDTA123JT,215功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

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